ELECTRONIQUE DE PUISSANCE PDF

Cahier de ELECTRONIQUE DE PUISSANCE PDF Première S option S. Un article de Wikipédia, l’encyclopédie libre.


Si ce bandeau n’est plus pertinent, retirez-le. En pratique : Quelles sources sont attendues ? Valves de la ligne HVDC Nelson River DC Transmission System. L’électronique de puissance, ou plus correctement  électronique de conversion d’énergie , a moins de 50 ans. HVDC : Transmission en courant continu HTA. 48 V par exemple avec les véhicules hybrides. C’est dans le domaine du redressement de forte puissance que se développent les premiers convertisseurs statiques destinés à remplacer les convertisseurs électromécaniques.

Les premières diodes de puissance au silicium apparaissent en 1956 et les thyristors en 1961. Il devient dans les 10 ans qui suivent un composant utilisable en forte puissance. 1997 dans le domaine des tensions supérieures à 6 kV risque d’entraîner à moyen terme la disparition du thyristor GTO. Dans le domaine des faibles puissances, du fait de sa rapidité et de la simplicité de sa commande, le transistor MOSFET de puissance supplante le transistor bipolaire. Ceux à base de diamant sont encore à l’étude en 2004. Le nitrure de gallium GaN fait ses premiers pas dans la production industrielle en 2011 avec des caractéristiques plus intéressantes que le SiC d’un point de vue coût, modularité d’utilisation et vitesse de commutation. Elles sont équivalentes à un clapet dans une installation hydraulique.

La tension maximale de blocage du composant, c’est-à-dire la tension au-delà de laquelle se produit le claquage et donc la destruction de la diode. L’intensité maximale du courant qui peut la traverser. Les diodes silicium de puissance  de résistance dynamique RD faible. Elles sont utilisées dans le domaine des convertisseurs de forte puissance comme les onduleurs de traction. Elles sont réalisées en boîtier encapsulé.

L’introduction d’une zone très faiblement dopée permet d’obtenir une tension de blocage élevée. Leur domaine d’utilisation est limité à quelques centaines de volts, excepté le domaine des fréquences élevées pour lesquelles le MOSFET surclasse tous les autres composants. Cette résistance est responsable des pertes en conduction. Par rapport aux transistors MOS de puissance, ils nécessitent une commande plus compliquée et ont des performances dynamiques plus médiocres.